2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)
produsen:
Toshiba
Deskripsi:
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)
Kategori:
Transistor RF
Persediaan:
2000pcs
Harga:
Email us for details
Cara Pembayaran:
T/T, Western Union
Spesifikasi
Kode tanggal:
Kode terbaru
Pengiriman oleh:
DHL/UPS/Fedex
Kondisi:
Baru*Asli
Jaminan:
365 hari
Memimpin Gratis:
Sesuai dengan RoHS
Waktu pelaksanaan:
Pengiriman segera
Paket:
KE-3P-3
Gaya Pemasangan:
Melalui Lubang
Pengantar
2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang
| Toshiba | |
| Kategori produk: | Transistor Bipolar - BJT |
| RoHS: | Rincian |
| Melalui Lubang | |
| TO-3P-3 | |
| PNP | |
| Single | |
| 230 V | |
| 230 V | |
| 5 V | |
| 1.5 V | |
| 15 A | |
| 150 W | |
| 30 MHz | |
| - | |
| + 150 C | |
| 2SA | |
| Tray | |
| Merek: | Toshiba |
| Arus kolektor terus menerus: | - 15 A |
| DC Collector/Base Gain Min: | 55 |
| DC Current Gain hFE Max: | 160 |
| Ketinggian: | 26 mm |
| Panjangnya: | 20.5 mm |
| Jenis produk: | BJT - Bipolar Transistor |
| Subkategori: | Transistor |
| Teknologi: | Ya. |
| Lebar: | 5.2 mm |
| Berat satuan: | 0.238311 oz |
Aplikasi Penguat Daya
• Tegangan kolektor tinggi: VCEO= -230 V (min)
• Menambah 2SC5200
• Direkomendasikan untuk tahap output amplifier frekuensi audio 100W.
Spesifikasi
- Produsen: Toshiba
- Jenis Transistor: NPN
- Jenis Paket: TO-3PL
- Penghambatan daya maksimum: 150W
- Tegangan emiter kolektor (VCEO): 230V
- Arus maksimum kolektor: 15A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
- Frekuensi: 30MHz
- Jenis pemasangan: melalui lubang
- Suhu operasi: 150°C TJ
- Status Bagian: Usang
Produk terkait
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L) |
2SC5200-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
|
Kirim RFQ
Saham:
2000PCS
MOQ:
1pcs
