2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)

produsen:
Toshiba
Deskripsi:
2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)
Kategori:
Transistor RF
Persediaan:
2000pcs
Harga:
Email us for details
Cara Pembayaran:
T/T, Western Union
metode pengiriman:
LCL, UDARA, FCL, Ekspres
Spesifikasi
Kode tanggal:
Kode terbaru
Pengiriman oleh:
DHL/UPS/Fedex
Kondisi:
Baru*Asli
Jaminan:
365 hari
Memimpin Gratis:
Sesuai dengan RoHS
Waktu pelaksanaan:
Pengiriman segera
Paket:
KE-3P-3
Gaya Pemasangan:
Melalui Lubang
Pengantar
2SC5200-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang
Toshiba | |
Kategori produk: | Transistor Bipolar - BJT |
RoHS: | Rincian |
Melalui Lubang | |
TO-3P-3 | |
NPN | |
Single | |
230 V | |
230 V | |
5 V | |
400 mV | |
15 A | |
150 W | |
30 MHz | |
- | |
+ 150 C | |
2SC | |
Tray | |
Merek: | Toshiba |
Arus kolektor terus menerus: | 15 A |
DC Collector/Base Gain Min: | 55 |
DC Current Gain hFE Max: | 160 |
Ketinggian: | 26 mm |
Panjangnya: | 20.5 mm |
Jenis produk: | BJT - Bipolar Transistor |
Subkategori: | Transistor |
Teknologi: | Ya. |
Lebar: | 5.2 mm |
Berat satuan: | 0.239863 oz |
Aplikasi Penguat Daya
• Tegangan pemecahan tinggi: VCEO = 230 V (min)
• Menambah 2SA1943
• Cocok untuk digunakan di tingkat output amplifier audio 100W
Spesifikasi
- Produsen: Toshiba
- Jenis Transistor: NPN
- Jenis Paket: TO-3PL
- Penghambatan daya maksimum: 150W
- Tegangan emiter kolektor (VCEO): 230V
- Arus maksimum kolektor: 15A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
- Frekuensi: 30MHz
- Jenis pemasangan: melalui lubang
- Suhu operasi: 150°C TJ
- Status Bagian: Usang
Produk terkait
Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
---|---|---|---|
![]() |
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L) |
2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
|
Kirim RFQ
Saham:
2000pcs
MOQ:
1pcs