Rumah > Produk > Transistor RF > 2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)

2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)

produsen:
Toshiba
Deskripsi:
2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)
Kategori:
Transistor RF
Persediaan:
2000pcs
Harga:
Email us for details
Cara Pembayaran:
T/T, Western Union
metode pengiriman:
LCL, UDARA, FCL, Ekspres
Spesifikasi
Kode tanggal:
Kode terbaru
Pengiriman oleh:
DHL/UPS/Fedex
Kondisi:
Baru*Asli
Jaminan:
365 hari
Memimpin Gratis:
Sesuai dengan RoHS
Waktu pelaksanaan:
Pengiriman segera
Paket:
KE-3P-3
Gaya Pemasangan:
Melalui Lubang
Pengantar

2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)

2SC5200-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang

Toshiba
Kategori produk: Transistor Bipolar - BJT
RoHS: Rincian
Melalui Lubang
TO-3P-3
NPN
Single
230 V
230 V
5 V
400 mV
15 A
150 W
30 MHz
-
+ 150 C
2SC
Tray
Merek: Toshiba
Arus kolektor terus menerus: 15 A
DC Collector/Base Gain Min: 55
DC Current Gain hFE Max: 160
Ketinggian: 26 mm
Panjangnya: 20.5 mm
Jenis produk: BJT - Bipolar Transistor
Subkategori: Transistor
Teknologi: Ya.
Lebar: 5.2 mm
Berat satuan: 0.239863 oz

 

Aplikasi Penguat Daya

• Tegangan pemecahan tinggi: VCEO = 230 V (min)

• Menambah 2SA1943

• Cocok untuk digunakan di tingkat output amplifier audio 100W

 

2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)

 

Spesifikasi

  • Produsen: Toshiba
  • Jenis Transistor: NPN
  • Jenis Paket: TO-3PL
  • Penghambatan daya maksimum: 150W
  • Tegangan emiter kolektor (VCEO): 230V
  • Arus maksimum kolektor: 15A
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
  • Frekuensi: 30MHz
  • Jenis pemasangan: melalui lubang
  • Suhu operasi: 150°C TJ
  • Status Bagian: Usang

 

 

 

 

2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)

2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)

 

2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Melalui Lubang TO-3P ((L)

 

Kirim RFQ
Saham:
2000pcs
MOQ:
1pcs