Rumah > Produk > Modul IGBT > IXFN38N100Q2 Modul Semikonduktor Diskrit 38 Amper 1000V 0,25 Rds

IXFN38N100Q2 Modul Semikonduktor Diskrit 38 Amper 1000V 0,25 Rds

produsen:
IXYS
Deskripsi:
IXFN38N100Q2 Modul Semikonduktor Diskrit 38 Amper 1000V 0,25 Rds
Kategori:
Modul IGBT
Persediaan:
100 PCS
Harga:
Email us for details
Cara Pembayaran:
T/T, Western Union
Spesifikasi
Kode tanggal:
Kode terbaru
Pengiriman oleh:
DHL/UPS/Fedex
Kondisi:
Baru*Asli
Jaminan:
365 hari
Memimpin Gratis:
Sesuai dengan RoHS
Waktu pelaksanaan:
Pengiriman segera
Pengantar

IXFN38N100Q2 Modul Semikonduktor Diskrit 38 Amper 1000V 0,25 Rds

IXFN38N100Q2 Modul Semikonduktor Diskrit 38 Amper 1000V 0,25 Rds

IXYS
Kategori produk: Modul Semikonduktor Diskrit
RoHS: Rincian
Modul MOSFET Daya
Ya.
- 30 V, + 30 V
Tumpukan sasis
SOT-227-4
- 55 C
+ 150 C
IXFN38N100
Tabung
Merek: IXYS
Konfigurasi: Single
Waktu jatuh: 15 ns
Ketinggian: 9.6 mm
Id - Arus pembuangan terus menerus: 38 A
Panjangnya: 38.23 mm
Jumlah Saluran: 1 Saluran
Pd - Pembuangan daya: 890 W
Jenis produk: Modul Semikonduktor Diskrit
Rds On - Resistensi sumber pembuangan: 250 mOhms
Waktu naik: 28 ns
Subkategori: Modul Semikonduktor Diskrit
Nama dagang: HiPerFET
Polaritas Transistor: Saluran N
Waktu penundaan yang khas untuk mematikan: 57 ns
Waktu penundaan menyala yang khas: 25 ns
Vds - Tegangan pemisahan sumber pembuangan: 1 kV
Lebar: 25.42 mm
Berat satuan: 1.058219 oz

 

IXFN38N100Q2 Modul Semikonduktor Diskrit 38 Amper 1000V 0,25 Rds

 

IXFN38N100Q2 Modul Semikonduktor Diskrit 38 Amper 1000V 0,25 Rds

 

IXFN38N100Q2 Modul Semikonduktor Diskrit 38 Amper 1000V 0,25 Rds

Wisdtech Technology Co.,Limited
Tel: +86-755-23606019
Alamat: Kamar 1205-1207, Bangunan Nanguang, Jalan Huafu,
Distrik Futian,Shenzhen,Guangdong,China

 

Laneya
Telepon: +86-13420902155
E-mail: sales@wisdtech.com.cn
Wechat:laneyatao66
WhatsApp: +8613420902155
Skype: sales@wisdtech.com.cn

 

 

 

Kirim RFQ
Saham:
100PCS
MOQ:
1pcs